Чем больше памяти, тем лучше! Вот девиз инженеров компании Samsung, который они постоянно доказывают на практике. Так недавно ими была разработана технология, которая позволяет разместить 16 полупроводниковых слоёв в чипах памяти, вместо привычных 10!
Новый подход позволии создавать носители данных большего объёма, но при тех же физических размерах. Так, например, флешка объёмом в 10 ГБ, выполненная по новой технологии смогла бы вмещать уже 16 ГБ информации.
Технология имеет 2 ключевых момента. Первый – применение 30 нм техпроцесса вместо 45 нм. Второй – изменение процесса склеивания и нанесение более тонкого клеевого слоя толщиной всего 20 нм, по сравнению с 60 нм в процессе изготовления десятислойной памяти. Тонкий слой клея не позволит подключать проводники привычным способом, поэтому каждый слой памяти будет смещён относительно центра. Это позволит создать выступы, которых будет достаточно для подключения «микропроводки».
Как скоро и в каком виде будет применяться новая технология на практике пока не ясно, но радует то, что у разработчиков есть хороший теоретический задел на светлое будущее в котором, памяти будет хватать всем пользователям и устройствам. -)
- « оценка: 5 (1 чел.) » +
|
