Toshiba указала путь к 100 ГБ флеш-памяти 18.12.2007 11:08 просмотров: сегодня 1, всего 2357 автор новости: VMir
	связанные темы: Toshiba; накопители информации; технологии

На конференции IEDM (International Electron Devices Meeting), проходившей на прошлой неделе в Вашингтоне (США), компания Toshiba объявила о разработке новой технологии, которая в будущем станет ключевым компонентом в процессе создания флеш-накопителей с большой емкостью памяти (до 100 ГБ).

В пресс-релизе компании указано, что двухтунельная слоевая технология (double-tunnel layer technology) или Sonos (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor) является обновленной версией ранней разработки компании с более толстыми туннельными слоями. Функция «хранителя» информации в ней отведена слою кремниевых нанокристаллов толщиной 1,2 нм, лежащему между двумя 1 нм оксидными слоями. С целью лучшего контроля движения электронов-носителей данных, на кремниевые нанокристаллы наложен слой нитрида Si₉N₁₀, содержащий больше кремния, чем в предыдущей версии (Si₃N₄). Благодаря этому новая конструкция удерживает большее количество электронов, увеличена скорость записи и стирания данных

Вот такой сэндвич способен аккумулировать данные в объеме до 100 ГБ, причем их хранение может длиться до 10 лет. Как это часто случается, есть все же одно «но», делающее на сегодняшний момент внедрение данной технологии неосуществимым – подобный сэндвич возможно сделать с применением 10-нм процесса. Это означает, что технологам необходимо поэтапно пройти путь от существующего 65 нм процесса изготовления флеш-памяти к 50 нм, затем к 45 нм и 32 нм. Как предсказывают ученые, ко времени достижения 10-нм технологии ныне популярный дизайн транзисторов с плавающим затвором («floating gate») станет неактуальным.

- «     оценка: 3.9 (10 чел.)     » + 1   2   3   4   5 «скучно интересно»