 |
Компания Samsung Electronics представила образец высокоплотной 16 Гб (2 ГБ) флэш-памяти NAND. Для ее изготовления впервые применен 50 нм технологический процесс. Как и в изготавливаемой сейчас 8 Гб-ой версии, в ней используется технология многоуровневой архитектуры ячейки (MLC) с 4 КБ страницей чтения/записи. По сравнению с прежним способом организации памяти, в два раза повышена скорость чтения, и в 1,5 раза — записи.
Благодаря практически удвоению производительности флэш-памяти NAND пользователи смогут быстрее считывать и передавать большие файлы, используя при этом как внешнюю карту памяти, так и наладонник со встроенным модулем moviNAND от той же Samsung.
Вполне очевидно, что темпы роста объемов флеш-памяти опережают темпы, определенные прогнозом Мура, согласно которому каждые 2 года количество транзисторов в микросхемах увеличивается в 2 раза. Закон Мура по-корейски — каждый год объем флеш памяти растет в 2 раза. Согласно плану компании производство 16 Гб чипов начнется в первом квартале текущего года.
- « оценка: 4.33 (3 чел.) » +
 
| Устанавливайте линк на Ладошки на своих сайтах, изучайте коммерческую информацию,
посещайте разделы сайта (форум, чат, новости, файлы, прочие). Оцените эту новость и оставьте свой комментарий ниже на странице.
|
|
|
|
06.01.2007 12:39 - Artyom
Тема отличная! Слышал, что такие микросхемы памяти будут неотъемлимой сатью корманных компьютеров и коммуникаторов! Вопрос стоит как скоро эта технология перейдет на оперативную память коммуникаторов и КПК — 64Мв для оперативной памяти всетаки маловато. С выходом операционной системы 6.0 хотелосьбы увидеть гаджеты на мощных и производительных платформах памяти.
08.01.2007 12:45 - Алекс
Да, вот это темпы.
08.01.2007 22:01 - IMHO
u BoT 3eMLETpECeHuE B TAuBaHe ....
|
|
|
|
